国家知识产权局信息数据显现，联芯集成电路制作（厦门）有限公司请求一项名为“单晶体管双电阻式存储器的结构及其制作的进程”的专利，揭露号CN121038287A，请求日期为2024年5月。专利摘要显现，本发明揭露一种单晶体管双电阻式存储器的结构及其制作的进程，其间单晶体管双电阻式存储器的结构包括一基底，一晶体管设置基底上，晶体管包括一榜首源极/漏极掺杂区埋入于晶体管的一侧的基底中，一榜首源极/漏极插塞、一榜首金属线、一榜首插塞、一第二金属线、一第二下部插塞、一第二电阻式存储器和一第二上部金属线由下至上依序堆叠，其间榜首源极/漏极插塞触摸榜首源极/漏极掺杂区，一榜首下部插塞、一榜首电阻式存储器和一榜首上部金属线由下至上依序堆叠，其间榜首下部插塞触摸榜首金属线。

  天眼查资料显现，联芯集成电路制作（厦门）有限公司，成立于2014年，坐落厦门市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制作业为主的企业。企业注册资本1619779.4万人民币。经过天眼查大数据分析，联芯集成电路制作（厦门）有限公司参加招投标项目32次，产业线条，此外企业还具有行政许可321个。

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