国家知识产权局信息数据显现，运用资料公司请求一项名为“用于半导体结构的欧姆触点”的专利，公开号CN121040236A，请求日期为2024年5月。专利摘要显现，一种用于构成半导体结构的欧姆触点的办法运用物理气相堆积膜。在一些施行办法中，此办法可包含在基板上的III‑V族半导体资猜中构成至少一个凹部，在此半导体资料上构成掩模，其间至少此凹部未经遮盖，运用物理气相堆积(PVD)工艺在此凹部中堆积金属氮化物资料的触摸过渡层，及在此触摸过渡层上构成金属层以构成欧姆触点。可构成所述欧姆触点以用于高电子迁移率晶体管(HEMT)、发光二极管(LED)，及/或根据激光的结构及其相似者。此触摸过渡层可为掺杂或未掺杂资料，这取决于用作此触摸过渡层资料的此金属氮化物变体。

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