国家知识产权局信息数据显现，广东芯粤能半导体有限公司请求一项名为“半导体结构及其制备办法”的专利，公开号CN121692719A，请求日期为2025年12月。

　　专利摘要显现，本发明触及一种半导体结构及其制备办法，触及半导体技术领域，该半导体结构设置了第二掺杂类型的介电层以及榜首柱状区，完成了超结结构，大幅度降低了特定击穿电压下的比导通电阻，而且由于第二掺杂类型的介电层是填充在栅极沟槽内的，在构成时不需要离子注入，减少了制备本钱，节省了制程时刻。

　　天眼查资料显现，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，坐落广州市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。经过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参加招投标项目48次，产业线条，此外企业还具有行政许可100个。

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