近来，在本年的IEEE世界电子器件会议（IEDM 2023）上，英特尔向外界展现了其在半导体技能方面的多项突破性效果。其间，3D堆叠CMOS（互补金属氧化物半导体）晶体管的研制成为焦点。

  它能够经过晶体管堆叠提高面积功率和功能优势，闪现了Intel在GAA全盘绕栅极晶体管范畴的领先地位。

  这为完成300毫米硅基氮化镓(GaN-on-silicon)晶圆拓荒一条可行的途径。

  本年，Intel在硅和氮化镓集成方面获得突破性发展，成功完成了高功能、大规模的集成电路供电计划，名为“DrGaN”。

  三是全新的过渡金属二硫属化物(TMD)晶体管，能够让晶体管物理栅极长度微缩到10纳米以下。

  除了这种新的2D通道资料，Intel还展现了首先完成的两项有关技能：GAA 2D过渡金属二硫属化物PMOS晶体管，以及300毫米晶圆上制作的2D PMOS晶体管。

  英特尔高档副总裁兼组件研讨部总经理 Sanjay Natarajan 表明，“跟着咱们进入 Angstrom 年代以及确认四年五个节点的方针，继续立异现已变得比以往任何一个时间里都要害。在 IEDM 2023 上，英特尔展现了其在推进摩尔定律的研讨发展方面所获得的发展，强调了咱们为下一代移动核算供给进一步扩展和高效供电的才能。”回来搜狐，检查更加多